晶闸管模块毁坏因素辨别

当晶闸管模块毁坏后要检测分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出来，打開芯盒再取出芯片，查看其毁坏后的痕迹，以分辨是什么原因。下边讲解几个常见现象分析。

1、电压击穿。晶闸管模块因无法承载电压而毁坏，其芯片中有1个光洁的小孔，有时候需要放大镜才可以看清。其因素可能是管子自身耐压降低或被线路断开时产生的高电压击穿。

2、电流毁坏。电流毁坏的痕迹特点是芯片被烧出1个凹坑，且粗糙，其具体位置在远离控制极上。

3电流上升率毁坏。其痕迹与电流毁坏一致，而其具体位置在控制极附近或就在控制极上。

4、边缘毁坏。他出现在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看出倒角面上有细细地金属物划痕。这也是制造厂家组装不慎所引起的。它造成电压击穿。

上述便是CATELEC西班牙对晶闸管模块毁坏因素辨别的介绍，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。