晶闸管模块(VT)又称之为可控硅(SCR)模块。它是一种功率大的的半导体开关元件，其种类很多，有通用型、双向型、可关断型、快速型和光控型等。通用型晶闸管模块。它的外观有螺栓式、金属壳封装和塑封式等多种。

这些都是3个电极，即阳极A、阴极K和控制极G。螺栓式晶闸管模块的螺栓端为阳极，另一端引线较粗的为阴极，细的为控制极G。用时把阳极拧紧在散热器上，一般 在中小功率线路中应用这类结构散热。压模塑料封装式晶闸管模块的阴极、阳极和控制极按顺序排列。用时将螺钉通过管子的散热片(阳极)小孔与外接散热器拧在一块，一般 在小功率线路中应用这类结构散热。上述散热片均带电，应注意与仪器柜绝缘。

可控硅模块是PNPN四层三端元件，共有3个PN结。解析原理时，能够把它当作是由1个PNP管和1个NPN管所构成，其等效电路图解如图1（a）所示，图1（b）为可控硅模块的电路符号。
图1可控硅模块等效电路图解图

可控硅设计原理

可控硅模块是四层三端元件，它有J1、J2、J33个PN结，能够把它中间的NP划分两部分，构成1个PNP型三极管和1个NPN型三极管的复合管。

（1）当可控硅模块承当正向阳极电压时，为使可控硅模块导通，必须使承当反向电压的PN结J2失去阻挡作用。每一个晶体管的集电极电流同时便是另1个晶体管的基极电流。因此是2个互相复合的晶体管线路，当有足够的门极电流Ig流入时，便会产生明显的正反馈，引发两晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流主要为IC1和IC2，发射极电流对应为Ia和Ik，电流放大系数对应为α1＝IC1／Ia和α2＝IC2／Ik，设经过J2结的反相漏电流为ICO，可控硅模块的阳极电流等同于两管的集电极电流和漏电流的之和：

Ia＝IC1＋IC2＋ICO＝α1Ia＋α2Ik＋ICO（1）

若门极电流为Ig，则可控硅模块阴极电流为：Ik＝Ia＋Ig。

所以，能够 算出可控硅模块阳极电流为：
（2）硅PNP管和硅NPN管对应的电流量放大系数α1和α2随其发射极电流量的变化而急剧变化。当可控硅模块承当正向阳极电压，而门极未接纳电压的前提下，式（1）中Ig＝0，（α1＋α2）较小，故可控硅模块的阳极电流量Ia≈ICO，可控硅模块进入到一个正向阻断模式；当可控硅模块在正向门极电压下，从门极G流入电流量Ig，由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，进而提高放大系数α2，存在足够大的集电极电流量IC2经过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流量放大系数α1，存在更大的集电极电流量IC1流经NPN管的发射结，这样的强烈的正反馈环节快速进行。

当α1和α2随发射极电流量提高而导致（α1＋α2）≈1时，式（1）中的分母1－（α1＋α2）≈0，所以提高了可控硅模块的阳极电流量Ia。此时，经过可控硅模块的电流量彻底由主线路的电压和回路电阻确定，可控硅模块已进入到一个正向导通模式。可控硅模块导通后，式（1）中1－（α1＋α2）≈0，就算此时门极电流量Ig＝0，可控硅模块仍能保持原来的阳极电流量Ia而持续导通，门极已失去作用。

在可控硅模块导通后，如果持续地降低电源电压或增大回路电阻，使阳极电流量Ia降低到保持电流量IH之下时，由于α1和α2快速下降，可控硅模块恢复到阻断模式。

以上就是CATELEC西班牙技术人员对可控硅晶闸管模块的介绍，CATELEC西班牙供应整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,传承电子科技(江苏)有限公司自营品牌catelec西班牙，与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。