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整流桥参数的选择依据

来源:市场新闻 | 时间:05-09
隔离式开关电源电路通常使用由整流管组成的整流桥,也可以直接使用成品整流桥,实现桥式整流。全波桥式整流器通称硅整流桥,它是将4只硅整流管接成桥路方式,再用塑料封装而成的半导体元器件。它具备体型小、使用便捷、各整流管的参数统一性好等优势,可普遍用作开关电源电路的整流线路。硅整流桥有4个引出端,当中交流输进端、直流输出端各2个。

硅整流桥的最大整流电流平均值分0.5~40A等很多种规格型号,最高反方向工作电压有50~1000V等很多种规格型号。小功率硅整流桥可直接焊在印刷板上,大、中功率硅整流桥则要用螺钉固定,且需装置适合的散热器。

整流桥的主要参数有反方向峰值电压URM(V),正方向压降UF(V),平均整流电流Id(A),正方向峰值浪涌电流IFSM(A),最大反方向漏电流IR(μA)。

整流桥的反方向击穿电压URR应满足下式要求:
列举说明,当交流输入电压范畴是85~132V时,umax=132V,由式(1)测算出UBR=233.3V,可选耐压400V的产品整流桥。针对宽范畴输入交流电压,umax=265V,同样求取UBR=468.4V,应当选用耐压600V的产品整流桥。必须指明,倘若用4只硅整流管来组成整流桥,整流管的耐压值还应进一步提升。辟如可选择1N4007(1A/1000V)、1N5408(3A/1000V)型塑封整流管。这是由于这类管子的价格便宜,且依照耐压值“宁高勿低”的原则,能提升 整流桥的安全性与可靠性。

设输入有效值电流为IRMS,整流桥额定的有效值电流为IBR,理应使IBR≥2IRMS。测算IRMS的公式如下所示:
式中,PO为电源开关的输出功率,η为电源效率,umin为交流输入电压的最低值,cosφ为电源开关的功率因数,准许cosφ=0.5~0.7。因为整流桥实际通过的并不是正弦波电流,反而是窄脉冲电流(参见图1),所以整流桥的平均整流电流Id

上述便是CATELEC西班牙对整流桥参数的选择依据的介绍,CATELEC西班牙提供整流桥、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC模块的主营项目。近期CATELEC产品将部分模块改进为以铜底板安装、增加厚度、增大了模块的散热接触点、大大提高了模块的使用寿命与性能。
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