igbt模块的工作特性

igbt模块的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。

igbt模块的伏安特性指的是以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压间的关联曲线。輸出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似.也可分成饱和区1、放大区2和击穿特性3部份。在断开模式下的igbt模块，顺向电压由J2结承担，反方向电压由J1结承担。
倘若无N+缓冲区，则正反向阻断电压能够到达一样水平，加入N+缓冲区后，反方向断开电压仅有到达几十伏水平，因此局限了igbt模块的一些使用范畴。

igbt模块的转移特性指的是輸出漏极电流Id与栅源电压Ugs间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相似，当栅源电压低于开启电压Ugs(th)时，igbt模块处在断开状态。在igbt模块导通后的大多数漏极电流范畴内，Id与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流局限，其最佳值通常取为15V左右。

igbt模块的开关特性指的是漏极电流与漏源电压间的关系。igbt模块处在导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，因此其B值极低。即便等效电路为达林顿结构，但流经MOSFET的电流变为igbt模块总电流的主要部分。这时，通态电压Uds(on)可以用下式表达

Uds(on)=Uj1+Udr+IdRoh

式中Uj1——JI结的正方向电压，其数值为0.7～1V；Udr——扩展电阻Rdr上的压降；Roh——沟道电阻。

通态电流Ids可以用下式表达：

Ids=(1+Bpnp)Imos

式中Imos——流经MOSFET的电流。

由于N+区存有电导调制效应，因此igbt模块的通态压降小，耐压1000V的igbt模块通态压降为2～3V。igbt模块处在断态时，仅有很小的泄漏电流存有。

上述便是CATELEC西班牙技术工程师对igbt模块的工作特性的简介，CATELEC西班牙提供整流桥模块、晶闸管模块、二极管模块等半导体模块,绝缘式功率模块、功率组件、分立式功率半导体在内的众多功率电子产品是现CATELEC的主营项目。近期CATELEC产品将部分模块改进为以铜底板安装、增加厚度、增大了模块的散热接触点、大大提高了模块的使用寿命与性能。